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H7N1004FM	文件：100.63 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET HigH-Speed Power Switching Features Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩ typ. Low drive current Available for 4.5 V gate drive 文件：100.63 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1004FM_12	文件：94.68 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching 文件：94.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1004FM_15	文件：94.68 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching 文件：94.68 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1004FM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-220FM
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
100
ID (A)：
25
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
45
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
35
Ciss (pF) 典型值：
2800
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
25
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	H7N1004FM	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	7118	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多H7N1004FM供应商更新时间2026-1-29 13:32:00

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