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H7N1004FM	文件：100.63 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETHigH-SpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=25mΩtyp. Lowdrivecurrent Availablefor4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
H7N1004FN	文件：113.6 Kbytes Page：8 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETHigH-SpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •RDS(on)=25mΩtyp. •Lowdrivecurrent •Availablefor4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
H7N1004LD	文件：112.25 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETHigh-SpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •RDS(on)=25mΩtyp. •Lowdrivecurrent •Availablefor4.5Vgatedrive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
H7N1004LM	文件：98.61 Kbytes Page：12 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETHigh-SpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
H7N1004DL-E
制造商：
Renesas Electronics Corporation
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(2) Sack

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