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H7N0603DS	文件：81.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H7N0603DS	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
DPAK(S)/TO-252
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
60
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
22
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
15
Ciss (pF) 典型值：
3200
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
40
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only
QG (nC) 典型值：
56

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