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H7N0603DL	文件：317.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =15mΩ(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：317.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
H7N0603DL	文件：81.39 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.39 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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详细参数

型号：
H7N0603DL
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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