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H7N0310LM	文件：131.45 Kbytes Page：14 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current 文件：131.45 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0310LM	文件：105.14 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.14 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0310LMTL-E	文件：105.14 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.14 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0310LM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
LDPAK(S)-(2)
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
30
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
10
Ciss (pF) 典型值：
1400
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
50
应用：
Industrial
安装类型：
Surface Mount
订购条件：
Large order only
QG (nC) 典型值：
24

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛芯源科技有限公司	H7N0310LM	瑞萨Renesa	18+	TO-252	41200	原装正品,现货特价	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	H7N0310LS	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价
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更多H7N0310LM供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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