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H7N0307AB | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 4.6 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source 文件：120.13 Kbytes 页数：12 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
H7N0307AB | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.67 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.67 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：102.75 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：83.67 Kbytes 页数：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
H7N0307AB | Power MOSFETs | Renesas 瑞萨 | Renesas |
技术参数
- 封装类型：
TO-220AB
- Nch/Pch：
Nch
- 通道数：
Single
- VDSS (V) 最大值：
30
- ID (A)：
60
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
11.5
- RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
5.8
- Ciss (pF) 典型值：
2500
- Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
- VGSS (V)：
20
- Pch (W)：
90
- 应用：
Industrial
- 安装类型：
Through Hole
- QG (nC) 典型值：
40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-220 |
2000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
RENESAS |
21+ |
TO-220 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
新年份 |
TO-220 |
64540 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-220 |
42733 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-220 |
300000 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
TO-220 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
R |
25+ |
TO-TO-220AB |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-220 |
50 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
25+ |
TO-220 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 |
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