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H669A

N PN SILICON TRANSISTOR

The main purpose For low-frequency power amplification.

文件:63.21 Kbytes 页数:1 Pages

Huashan

华汕电子器件

H669A

通用晶体管

Huashan

华汕电子器件

HI669A

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The HI669A is designed for low frequency power amplifier.

文件:26.29 Kbytes 页数:3 Pages

HSMC

华昕

HJ669A

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The HJ669A is designed for low frequency power amplifier.

文件:22.74 Kbytes 页数:2 Pages

HSMC

华昕

HM669A

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Low frequency power amplifier complementary pair with HM649A

文件:43.17 Kbytes 页数:4 Pages

HSMC

华昕

技术参数

  • PC(W):

    20.00

  • IC(A):

    1.50

  • BVcbo(V):

    180.00

  • BVceo(V):

    160.00

  • HFE_MIN:

    60.00

  • HFE_MAX:

    200.00

  • Vces(V):

    1.00

  • fT(MHz):

    140(TYP)

  • 管脚排列PINARRAY:

    ECB

  • 替代型号EQUIVALENTTYPE:

    2SD669A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-126
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华昕
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华昕
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华昕
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TO-92
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HSMC
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100000
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HSMC
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更多H669A供应商 更新时间2025-12-1 15:06:00