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H5N5006FM

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H5N5006FM

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H5N5006FM_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

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H5N5006FM-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H5N5006FM

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    TO-220FM

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    500

  • ID (A):

    3

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    3000

  • Ciss (pF) 典型值:

    365

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    25

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    14

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更多H5N5006FM供应商 更新时间2026-2-3 8:31:00