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H5N5005PL-E0-E	文件：254.35 Kbytes Page：8 Pages	500V - 60A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.070 Ω typ. (at ID = 30 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching • Low gate charge • Avalanche ratings • Built-in fast recovery diode • Quality grade: Standard 文件：254.35 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N5005PL-E0-E_15	文件：138.73 Kbytes Page：7 Pages	500V - 60A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.73 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N5005PL-E0-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
H5PS1G63EFR-S5C	文件：0 bytes Page：0 Pages	HYNIX FBGA84	Hynix 海力士上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	Hynix
H5PS1G63EFR-S5C-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SKHYNIX BGA	SKHYNIX 上传：深圳庞田科技有限公司	SKHYNIX

技术参数

封装类型：
TO-264S
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
500
ID (A)：
60
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
0.085
Ciss (pF) 典型值：
10550
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
3
Pch (W)：
270
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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更多H5N5005PL-E0-E供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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