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H5N5004PL-E0-E

500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.09Ωtyp.(atID=25A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching •Lowgatecharge •Avalancheratings •Built-infastrecoverydiode:trr=190nstyp •Qualitygrade:Standard

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

H5N5004PL-E0-E_15

500V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching

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更多H5N5004PL-E0-E供应商 更新时间2025-5-24 14:02:00