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H5N2507P	文件：126.69 Kbytes Page：7 Pages	250V - 50A - MOS FET 250V - 50A - MOS FET Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.04  typ. (at ID = 25 A, VGS= 10 V, Ta = 25°C)  Low leakage current  High speed switching  Low gate charge  Built-in fast recovery diode 文件：126.69 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2507P_15	文件：127.47 Kbytes Page：7 Pages	250V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：127.47 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2507P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
H5PS1G63EFR-S5C	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA84	Hynix 海力士上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	Hynix
H5PS1G63EFR-S5C-C	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	SKHYNIX 上传：深圳庞田科技有限公司	SKHYNIX

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
配置[器件]：
Built-In FRD
VDSS (V) 最大值：
250
ID (A)：
50
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
55
Ciss (pF) 典型值：
5000
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
系列名称：
HV-MOS+FRD
QG (nC) 典型值：
145

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更多H5N2507P供应商更新时间2025-12-3 14:02:00

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