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H5N1506P	文件：94.43 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：94.43 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N1506P-E	文件：94.43 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：94.43 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N1506P_15	文件：114.24 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：114.24 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N1506P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-3P
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
150
ID (A)：
98
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
16
Ciss (pF) 典型值：
4900
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
150
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole
QG (nC) 典型值：
100

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