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H2N7000	文件：41.29 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR Description The H2N7000 is designed for high voltage, high speed applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. 文件：41.29 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H2N7000	文件：429.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These products have been designed to minimize on-state resistance While provide rugged, reliable, and fast switching performance. These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and 文件：429.29 Kbytes 页数：4 Pages	Huashan 华汕电子器件	Huashan
H2N7000	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	Huashan 华汕电子器件	Huashan
H2N7000	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Voltage MOSFET	HSMC 华昕	HSMC

技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
60
ID(A)：
0.2
VGS(V)：
±20
RDS(on)Max.(ohm)：
5
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
0.5
ESDProtected：
No
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H2N7000供应商更新时间2025-10-11 16:30:00

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