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KUWTN-11B3SLASHQ	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
PZU11B3	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU11B3A	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
RKZ11B3KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
H11B3W
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Photodarlington
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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更多H11B3W供应商更新时间2020-4-2 17:49:00

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