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H07N60	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：61.51 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
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H07N60E	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：61.51 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H07N60F	文件：61.51 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Description This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degratding performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche and commutation modes. The new energy efficient 文件：61.51 Kbytes 页数：5 Pages	HSMC 华昕	HSMC
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技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
600
ID(A)：
7
VGS(V)：
±30
RDS(on)Max.(ohm)：
1.2
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
3.5
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
M

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多H07N60供应商更新时间2026-1-17 10:19:00

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