H02N60SF资料使用说明书贸易商华昕第3页-114ic电子网

首页 >H02N60SF>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
PJM02N60SA	文件：1.44682 Mbytes Page：7 Pages	N-EnhancementModeFieldEffectTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
SDU02N60	文件：1.08613 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDUD02N60	文件：161.17 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SGB02N60	文件：798.16 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGB02N60	文件：385.58 Kbytes Page：12 Pages	FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGD02N60	文件：1.08647 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SGD02N60	文件：358.65 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGD02N60	文件：385.58 Kbytes Page：12 Pages	FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP02N60	文件：385.58 Kbytes Page：12 Pages	FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP02N60	文件：358.65 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
H02N60SF
制造商：
HSMC
制造商全称：
HSMC
功能描述：
N-Channel Power Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	H02N60SF	H	22+	TO-220F	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	H02N60SF	H	23+	TO-220F	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	H02N60SF	H	22+	TO-220F	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	H02N60SF	H	25+	TO-TO-220F	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	H02N60SI	华昕	23+	TO251	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	H02X25V0BL		24+	N/A	48000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市一线半导体有限公司	H03	A	24+	b	8		询价
深圳市振宏微科技有限公司	H03	SOT-163	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市赛美科科技有限公司	H03++	FUJ		ROHS	13352	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
上海金庆电子技术有限公司	H030-21	HUMPHREY	新		3	全新原装货期两周	询价

更多H02N60SF供应商更新时间2025-7-21 14:06:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号