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H01N45A	文件：44.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Field Effect Transistor Features • Typical RDS(on)=4.1Ω • Extremely High dv/dt Capability • 100 Avalanche Tested • Gate Charge Minimized • New High Voltage Benchmark Applications • Switch Mode Low Power Supplies (SMPS) • Low Power, Low Cost CFL (Compact Fluorescent Lamps) • Low Power Battery Chargers 文件：44.05 Kbytes 页数：4 Pages	HSMC 华昕	HSMC
H01N45A	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Voltage MOSFET	HSMC 华昕	HSMC
H0505S(1W)	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	MORNSUN/金升阳上传：深圳庞田科技有限公司	MORNSUN/金升阳
H08783-GD	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA178	EUDAR 上传：深圳市虞达美电子有限公司	EUDAR

技术参数

Channel：
N
VDSS(V)：
450
ID(A)：
0.5
VGS(V)：
±30
RDS(on)Max.(ohm)：
4.5
RDS(on)@VGS(V)：
10
RDS(on)@ID(A)：
0.5
RoHS(Note1)：
PF
Status(Note2)：
S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯世纪电子有限公司	H01N45A	HSMC	22+	TO-92	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	H01N60I	AP	23+	TO-263	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	H01N60I	HUAJING	TO-251	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多H01N45A供应商更新时间2025-12-24 8:02:00

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