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IXDR30N120	文件：69.09 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUSTMpackage HighVoltageIGBTwithoptionalDiodeISOPLUS™package(ElectricallyIsolatedBackSide) ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features •NPTIGBTtechnology -highswitchingspeed -lowswitchinglosses -squareRBSOA,nolatchup -highshortcircuitcapability -	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDT30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFB30N120P	文件：147.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFN30N120P	文件：137.85 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGA30N120	文件：348.6 Kbytes Page：3 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
GW30N120KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT

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