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GW30N120KD	文件：359.23 Kbytes Page：13 Pages	30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
GWA30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH™p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HGTG30N120CN	文件：81.32 Kbytes Page：7 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG30N120CN	文件：40.5 Kbytes Page：5 Pages	30A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG30N120D2isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarie	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG30N120CN	文件：113.21 Kbytes Page：8 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HIH30N120TF	文件：892.05 Kbytes Page：8 Pages	1200VFieldStopTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IHW30N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N120R	文件：977.75 Kbytes Page：12 Pages	IGBTwithmonolithicbodydiodeforsoftswitchingApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IXDH30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXDH30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageIGBTwithoptionalDiode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
GW30N120KD
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
30 A - 1200 V - short circuit rugged IGBT

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