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GT500P10K

丝印:GT500P10;Package:TO-252;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT500P10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:634.85 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT500P10K

-100V P Channel SGT MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

GT50JR22(S1WLD.E.S

TO-3P

TOSHIBA/东芝

GT813

QFN48

GT911

SOP

GOODIX

汇顶科技

上传:深圳市联世界科技有限公司

技术参数

  • Package:

    TO-252

  • Type:

    P

  • ESD Diode:

    NO

  • Vds(V):

    -100

  • Vgs(V):

    ±20

  • Id(A):

    -30

  • Pd(W):

    98

  • Vgs(th)max(V):

    -2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V:

    45

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V:

    54

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V:

    54

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V:

    64

  • Qg(nC):

    36

  • Qgs(nC):

    17

  • Qgd(nC):

    7

  • Ciss(pF):

    1861

  • Crss(pF):

    12

  • Technology:

    SGT

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更多GT500P10K供应商 更新时间2026-2-5 11:06:00