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GT400P10K	文件：586.13 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT400P10；Package：TO-252；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT400P10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：586.13 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT400P10K	文件：300 bytes Page：1 Pages	-100V P Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT400P10M	文件：1.0189 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT400P10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.0189 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT400P10T	文件：931.83 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT400P10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：931.83 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

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更多GT400P10K供应商更新时间2026-1-31 11:06:00