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GT2K0P20T	文件：785.14 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT2K0P20；Package：TO-220；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT2K0P20T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：785.14 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT2K0P20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	-200V P Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT2K0P20K	文件：857.38 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT2K0P20K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：857.38 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT2K0P20KA	文件：892.23 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT2K0P20KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：892.23 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT2K0P20M	文件：1.03804 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT2K0P20M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.03804 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-220
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-200
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-19
Pd(W)：
138
Vgs(th)max(V)：
-3
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
167
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
182
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
200
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
220
Qg(nC)：
70
Qgs(nC)：
12
Qgd(nC)：
19
Ciss(pF)：
3400
Crss(pF)：
10
Technology：
SGT

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