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GT240P10M

丝印:GT240P10;Package:TO-263;P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT240P10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:975.39 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT240P10M

-100V P Channel SGT MOSFET

GOFORD

谷峰半导体

GT24C1024-2GLI-TR

SOP8

GIANTEC

聚辰半导体

上传:深圳市微纳尔电子实业有限公司

GT24C1024-2ZLI-TR

TSSOP8

GIANTEC

聚辰半导体

上传:佛山市芯光达科技有限公司

GT300HF120T2VHE

IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

技术参数

  • Package:

    TO-263

  • Type:

    P

  • ESD Diode:

    NO

  • Vds(V):

    -100

  • Vgs(V):

    ±20

  • Id(A):

    -60

  • Pd(W):

    250

  • Vgs(th)max(V):

    3

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V:

    19

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V:

    22

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V:

    24

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V:

    30

  • Qg(nC):

    60

  • Qgs(nC):

    16

  • Qgd(nC):

    8

  • Ciss(pF):

    3206

  • Crss(pF):

    19

  • Technology:

    SGT

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更多GT240P10M供应商 更新时间2026-1-30 16:30:00