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GT10Q101中文资料东芝数据手册PDF规格书

GT10Q101
厂商型号

GT10Q101

功能描述

High Power Switching Applications

文件大小

297.47 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 18:34:00

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GT10Q101规格书详情

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :

http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429

* GT30G124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

* GT30J124

- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V

- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A

Applications and Features : Plasma display panels

产品属性

  • 型号:

    GT10Q101

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

  • 功能描述:

    IGBT 1200V TO-3P(N)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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