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GT10Q101 | High Power Switching Applications Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( 文件：297.47 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
GT10Q101 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
GT10Q101 | Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：179.14 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
GT10Q101 | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | Toshiba 东芝 | Toshiba | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：179.14 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA |
详细参数
- 型号：
GT10Q101
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
- 功能描述：
IGBT 1200V TO-3P(N)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
日本东芝TOS |
18+ |
TO3P |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
TOS |
20+ |
TO-3P(N) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3P(N) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-3P |
22891 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3P(N) |
63000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
TOS |
25+ |
TO-3P(N) |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P(N) |
6389 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-3P |
60000 |
询价 | |||
TOSHIBA |
24+/25+ |
442 |
原装正品现货库存价优 |
询价 |
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