GT10J312分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GT10J312 |
| 参数属性 | GT10J312 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| 功能描述 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
295.12 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 | TOSHIBA |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 15:18:00 |
| 人工找货 | GT10J312价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
GT10J312规格书详情
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
MOTOR CONTROL APPLICATIONS
● Third-generation IGBT
● Enhancement mode type
● High speed : tf = 0.30μs (Max.)
● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.)
● FRD included between emitter and collector
产品属性
- 产品编号：
GT10J312(Q)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，10A
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
400ns/400ns
- 测试条件：
300V，10A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-220SM
- 描述：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
988 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
22+ |
TO263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
TOS |
18+ |
TO263 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-263 |
6000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
TO-263 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
Toshiba Semiconductor and Stor |
2022+ |
TO-220SM |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
TO220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
GOFORD |
10 |
询价 | |||||
GOFORD |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 |
