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GT10G131分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

GT10G131
厂商型号

GT10G131

参数属性

GT10G131 封装/外壳为8-SOIC(0.173",4.40mm 宽);包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

封装外壳

8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

文件大小

1.58274 Mbytes

页面数量

73

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:35:00

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GT10G131规格书详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

产品属性

  • 产品编号:

    GT10G131(TE12L,Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 4V,200A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    3.1µs/2µs

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOP(5.5x6.0)

  • 描述:

    IGBT 400V 1W 8-SOIC

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