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GT10J312分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

GT10J312
厂商型号

GT10J312

参数属性

GT10J312 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

1.58274 Mbytes

页面数量

73

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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GT10J312规格书详情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

产品属性

  • 产品编号:

    GT10J312(Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    400ns/400ns

  • 测试条件:

    300V,10A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-220SM

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 60W TO220SM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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