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GT095N04D3

丝印:GT095N04;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT095N04D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:707.45 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT095N04D3

Trench Mosfet

GOFORD

谷峰半导体

GT095N04D3A

丝印:GT095N04;Package:DFN3X3-8L;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GT095N04D3A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

文件:948.33 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

GT150HF120T1NH-SF

IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

GT200HF120T2VHE

IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

技术参数

  • Configuration:

    N channel

  • ESD:

    NO

  • VDS:

    40V

  • Id at 25℃(max):

    47A

  • PD(max):

    22.7W

  • Vgs(th)typ(V):

    1.6V

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    4.8mΩ

  • RDS(on)(typ)(@4.5V):

    7.6mΩ

  • Qg(nC):

    23

  • Ciss:

    947

  • Crss:

    218

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Greenlee
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BGA
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SOT-23-3L
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更多GT095N04D3供应商 更新时间2025-12-20 11:06:00