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GT038P06M	文件：1.028069 Mbytes Page：6 Pages	丝印：GT038P06；Package：TO-263；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT038P06M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.028069 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT038P06M	文件：300 bytes Page：1 Pages	-60V P Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT150HF120T1NH-SF	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT-2220	文件：0 bytes Page：0 Pages	电源滤波器	TOKIN 上传：揭阳普宁铝壳电阻	TOKIN

技术参数

Package：
TO-263
Type：
P
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
-60
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
-200
Pd(W)：
350
Vgs(th)max(V)：
-2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
3.6
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
4.9
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
4.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
6.5
Qg(nC)：
386
Qgs(nC)：
42
Qgd(nC)：
104
Ciss(pF)：
11988
Crss(pF)：
113
Technology：
SGT

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