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GT023N10TLA	文件：1.11145 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10TLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.11145 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10TLA	文件：1.11145 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT023N10TLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.11145 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
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GT023N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10TLA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET Power MOSFETs find widespread use across various applications due to their low ON resistance, making them particularly appealing. By minimizing power dissipation, they contribute to cost reduction, smaller form factors, and less cooling requirements, resulting in significant enhancements for electro	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT023N10TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Configuration：
N channel
ESD：
NO
VDS(min)：
100V
Id at 25℃(max)：
226A
PD(max)：
250W
Vgs(th)typ(V)：
3.2V
RDS(on)(typ)(@10V)：
2.3mΩ
Qg(nC)：
121
Ciss：
8086
Crss：
305

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	GT023N10TL		24+	N/A	47000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	GT02MSA1KE	AMP/ITT/C&K	23+		20000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	GT030PCM32-ARP-120	AmphenolIndustrial	24+	DIP	17900	环形MIL规格连接器4CONDUCTORRECPT120AMPS4AWG	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	GT03-111-069-B	ICE	23+	SOP8	8000	原装正品,假一罚十	询价

更多GT023N10T供应商更新时间2025-10-7 11:06:00

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