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GT014N04TL	文件：966.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GT014N04；Package：TOLL-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT014N04TL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：966.89 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT014N04TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N Channel SGT MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
014N04LS	文件：1.60471 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V Features •Optimizedforsynchronousrectification •Verylowon-stateresistanceRDS(on) •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel,logiclevel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjoin 文件：1.60471 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC014N04LS	文件：1.60471 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V Features •Optimizedforsynchronousrectification •Verylowon-stateresistanceRDS(on) •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel,logiclevel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjoin 文件：1.60471 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC014N04LS	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	New OptiMOS??40V and 60V 文件：1.02174 Mbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Package：
TOLL-8L
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
40
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
275
Pd(W)：
139
Vgs(th)max(V)：
2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
0.98
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
1.35
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
1.2
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
1.7
Qg(nC)：
94
Qgs(nC)：
31
Qgd(nC)：
20
Ciss(pF)：
6100
Crss(pF)：
74
Technology：
SGT

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更多GT014N04TL供应商更新时间2026-1-28 11:06:00

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