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GSID100A120S5C1	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V \| 100A 6-Pack Silicon IGBT Modules; SemiQ Silicon IGBT Modules provde high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. Features include Short Circuit Rated 10?s; Low Saturation Voltage, Low Switching Losses, RBSOA Tested, Low Stray Inductance and Lead Free (RoHS) compliance. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications.	SemiQ SemiQ	SemiQ
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GSID100A120S5C1

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1200V | 100A 6-Pack Silicon IGBT Modules;

SemiQ Silicon IGBT Modules provde high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. Features include Short Circuit Rated 10?s; Low Saturation Voltage, Low Switching Losses, RBSOA Tested, Low Stray Inductance and Lead Free (RoHS) compliance. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications.

SemiQ

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Package：模块；包装：托盘托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 170A 650W

SemiQ

产品属性

产品编号：
GSID100A120S5C1
制造商：
SemiQ
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘托盘
配置：
三相反相器
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，100A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
模块
描述：
IGBT MOD 1200V 170A 650W

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