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GSC1065DN	文件：300 bytes Page：1 Pages	10A,650V,SiC Schottky Barrier Rectifiers	Galaxy 银河微电	Galaxy
H1065-OPEN	文件：1.28399 Mbytes Page：7 Pages	ISL8225MEVAL3Z 30A, Single Output Evaluation Board Setup Procedure 文件：1.28399 Mbytes 页数：7 Pages	Intersil	Intersil
HAT1065R	文件：61.12 Kbytes Page：4 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：61.12 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HAT1065R-EL-E	文件：61.12 Kbytes Page：4 Pages	Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching 文件：61.12 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM(V)max.：
650
IF(A)max.：
10
VF (V)max：
1.6
IFSM(A)max.：
78
IR(uA)max.：
25
TJ(°C)max.：
175
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
SiC 肖特基

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更多GSC1065DN供应商更新时间2025-12-20 16:12:00

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