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IRFR9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010PBF	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010PBF	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010TRLPBFA	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9010TRPBF	文件：1.02823 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFR9010TRPBFA	文件：1.53439 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancheratings •Surface-mount(IRFR9010,SiHFR9010) •Straightlead(IRFU9010,SiHFU9010) •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCR	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU9010	文件：283.14 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU9010	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThepowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU9010	文件：306.39 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowerRDS(ON) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowerinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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