首页 >GS8640E18GT-200V>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

GS8640E18GT-200V

SYNCBURST SRAMs

• Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;

GSI

GS8640E18GT-200V

4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs

文件:926.14 Kbytes 页数:23 Pages

GSI

GS8640E18GT-200IV

4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs

文件:926.14 Kbytes 页数:23 Pages

GSI

GS8722-SR

Gainsil(聚洵)
SOP-8

Gainsil(聚洵)

上传:深圳市信科顺电子有限公司

Gainsil(聚洵)

GS882Z18BB-150

GSI
BGA

技术参数

  • Density:

    72Mb

  • Configuration:

    x18

  • Cycle Time (MHz):

    200

  • Access Time (ns):

    7.5

  • Voltage (V):

    1.8

  • Package:

    100 TQFP

  • 6/6 RoHS:

    yes

  • Temp:

    Comm

  • Special Features:

    DCD

  • Status:

    Production

  • MSL:

    3

  • ECCN:

    3A991

  • ECCN Suball:

    B2B

  • HTS Code:

    8542.32.00.40

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GSI Technology
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
GSI Technology Inc.
25+
100-LQFP
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
更多GS8640E18GT-200V供应商 更新时间2025-10-11 15:01:00