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GS8322Z72GC-250IV	文件：300 bytes Page：1 Pages	NBT SRAMs • NBT functionality allows zero wait read-write-read bus utilization\n• Fully pin-compatible NtRAM™, NoBL™, and ZBT™ SRAMs\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable app;	GSI	GSI
GS8322Z72GC-250IV	文件：1.91075 Mbytes Page：39 Pages	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 文件：1.91075 Mbytes 页数：39 Pages	GSI	GSI
GS8322Z72GC-250V	文件：1.91075 Mbytes Page：39 Pages	36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 文件：1.91075 Mbytes 页数：39 Pages	GSI	GSI
GS8334-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP-14	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)
GS8552-SR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)

技术参数

Density：
36Mb
Configuration：
x72
Cycle Time (MHz)：
250
Access Time (ns)：
6.5
Voltage (V)：
2.5
Package：
209 BGA
6/6 RoHS：
yes
Temp：
Comm
Special Features：
JTAG
Status：
Production
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GS8322Z72GC-250IV供应商更新时间2025-10-29 15:01:00

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