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GS8256436GD-200IV

16M x 18, 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAMs

文件:422.93 Kbytes 页数:33 Pages

GSI

GS8256436GD-200IV

16M x 18, 8M x 36 288Mb DCD Sync Burst SRAMs

文件:422.93 Kbytes 页数:33 Pages

GSI

GS8256436GD-200IV

SYNCBURST SRAMs

• Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;

GSI

GS8256436GD-200IV

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA

GSI Technology Inc.

GSI Technology Inc.

产品属性

  • 产品编号:

    GS8256436GD-200IV

  • 制造商:

    GSI Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,标准

  • 存储容量:

    288Mb(8M x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 2V,2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 100°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FPBGA(15x13)

  • 描述:

    IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA

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更多GS8256436GD-200IV供应商 更新时间2025-10-27 16:30:00