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GS8162Z18DGB-250I	文件：300 bytes Page：1 Pages	NBT SRAMs • NBT functionality allows zero wait read-write-read bus utilization\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Internal self-timed write cycle\n• JEDEC-standard pinout and package\n• RoHS-compliant package available;	GSI	GSI
GS8334-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP-14	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)
GS8552-SR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)
GS8722-SR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)
GS882Z18BB-150	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	GSI 上传：深圳市瑞盛伟业电子有限公司	GSI

技术参数

Density：
18Mb
Configuration：
x18
Cycle Time (MHz)：
250
Access Time (ns)：
5.5
Voltage (V)：
2.5
Package：
119 BGA
6/6 RoHS：
yes
Temp：
Ind
Special Features：
JTAG
Status：
Production
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

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