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GS816036DGT-400

SYNCBURST SRAMs

• Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;

GSI

GS816036DGT-400

1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs

文件:255.05 Kbytes 页数:25 Pages

GSI

GS816036DGT-400I

SYNCBURST SRAMs

• Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;

GSI

GS8334-TR

TSSOP-14

Gainsil(聚洵)

上传:深圳市信科顺电子有限公司

Gainsil(聚洵)

GS8552-SR

SOIC-8

Gainsil(聚洵)

上传:深圳市信科顺电子有限公司

Gainsil(聚洵)

技术参数

  • Density:

    18Mb

  • Configuration:

    x36

  • Cycle Time (MHz):

    400

  • Access Time (ns):

    4

  • Voltage (V):

    2.5

  • Package:

    100 TQFP

  • 6/6 RoHS:

    yes

  • Temp:

    Comm

  • Special Features:

    SCD

  • Status:

    Production

  • MSL:

    3

  • ECCN:

    3A991

  • ECCN Suball:

    B2B

  • HTS Code:

    8542.32.00.40

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更多GS816036DGT-400供应商 更新时间2025-10-20 8:23:00