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GS816032DGT-333	文件：255.05 Kbytes Page：25 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：255.05 Kbytes 页数：25 Pages	GSI	GSI
GS816032DGT-333	文件：300 bytes Page：1 Pages	SYNCBURST SRAMs • Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;	GSI	GSI
GS816032DGT-333I	文件：255.05 Kbytes Page：25 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：255.05 Kbytes 页数：25 Pages	GSI	GSI
GS816032DGT-333IV	文件：245.78 Kbytes Page：23 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：245.78 Kbytes 页数：23 Pages	GSI	GSI
GS816032DGT-333V	文件：245.78 Kbytes Page：23 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：245.78 Kbytes 页数：23 Pages	GSI	GSI
GS816032DGT-333I	文件：300 bytes Page：1 Pages	SYNCBURST SRAMs • Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;	GSI	GSI
GS816032DGT-333V	文件：300 bytes Page：1 Pages	SYNCBURST SRAMs • Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;	GSI	GSI

技术参数

Density：
18Mb
Configuration：
x32
Cycle Time (MHz)：
333
Access Time (ns)：
4.5
Voltage (V)：
2.5
Package：
100 TQFP
6/6 RoHS：
yes
Temp：
Comm
Special Features：
SCD
Status：
Production
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

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更多GS816032DGT-333供应商更新时间2025-10-30 15:01:00

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