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GS816018T-225	文件：810.11 Kbytes Page：28 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs Features • FT pin for user-configurable flow through or pipeline operation • Single Cycle Deselect (SCD) operation • 2.5 V or 3.3 V +10/–10 core power supply • 2.5 V or 3.3 V I/O supply • LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode • Internal input resistors on mode pins allow floating mode 文件：810.11 Kbytes 页数：28 Pages	GSI	GSI
GS816018T-225I	文件：810.11 Kbytes Page：28 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs Features • FT pin for user-configurable flow through or pipeline operation • Single Cycle Deselect (SCD) operation • 2.5 V or 3.3 V +10/–10 core power supply • 2.5 V or 3.3 V I/O supply • LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode • Internal input resistors on mode pins allow floating mode 文件：810.11 Kbytes 页数：28 Pages	GSI	GSI
GS816018T-250	文件：810.11 Kbytes Page：28 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs Features • FT pin for user-configurable flow through or pipeline operation • Single Cycle Deselect (SCD) operation • 2.5 V or 3.3 V +10/–10 core power supply • 2.5 V or 3.3 V I/O supply • LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode • Internal input resistors on mode pins allow floating mode 文件：810.11 Kbytes 页数：28 Pages	GSI	GSI
GS816018T-250I	文件：810.11 Kbytes Page：28 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs Features • FT pin for user-configurable flow through or pipeline operation • Single Cycle Deselect (SCD) operation • 2.5 V or 3.3 V +10/–10 core power supply • 2.5 V or 3.3 V I/O supply • LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode • Internal input resistors on mode pins allow floating mode 文件：810.11 Kbytes 页数：28 Pages	GSI	GSI
GS816018DGT-150	文件：255.05 Kbytes Page：25 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：255.05 Kbytes 页数：25 Pages	GSI	GSI
GS816018DGT-150I	文件：255.05 Kbytes Page：25 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：255.05 Kbytes 页数：25 Pages	GSI	GSI
GS816018DGT-150IV	文件：245.78 Kbytes Page：23 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：245.78 Kbytes 页数：23 Pages	GSI	GSI
GS816018DGT-150V	文件：245.78 Kbytes Page：23 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：245.78 Kbytes 页数：23 Pages	GSI	GSI
GS816018DGT-200	文件：255.05 Kbytes Page：25 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：255.05 Kbytes 页数：25 Pages	GSI	GSI
GS816018DGT-200I	文件：255.05 Kbytes Page：25 Pages	1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs 文件：255.05 Kbytes 页数：25 Pages	GSI	GSI

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技术参数

Density：
18Mb
Configuration：
x18
Cycle Time (MHz)：
150
Access Time (ns)：
7.5
Voltage (V)：
2.5
Package：
100 TQFP
6/6 RoHS：
yes
Temp：
Comm
Special Features：
SCD
Status：
Production
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

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