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GS81302T18E-250	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR SRAMs • SigmaDDR Interface\n• Dual Double Data Rate Interface\n• Pipelined Read operation \n• Fully coherent Read and Write pipelines\n• ZQ mode pin for programmable output drive strength\n• IEEE 1149.1 JTAG-compliant Boundary Scan\n• JEDEC-standard pinout and package\n• RoHS-compliant package available \;	GSI GSI Technology
GS81302T18E-250	文件：483.65 Kbytes Page：36 Pages	144Mb SigmaDDRTM-II Burst of 2 SRAM	GSI GSI Technology
GS81302T18E-250I	文件：483.65 Kbytes Page：36 Pages	144Mb SigmaDDRTM-II Burst of 2 SRAM	GSI GSI Technology
GS8334-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	Gainsil(聚洵) TSSOP-14	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)
GS8552-SR	文件：0 bytes Page：0 Pages	Gainsil(聚洵) SOIC-8	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)

技术参数

Density：
144Mb
Configuraion：
x18
Speed (MHz)：
250
Burst Length：
2
Read Latency (RL)：
1.5
On-Die Termination：
n/a
Package：
165 BGA
6/6 RoHS：
no
Temp：
Comm
Special Features：
none
Status：
Production-NRND
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

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