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GS8128418GB-167V	文件：300 bytes Page：1 Pages	SYNCBURST SRAMs • Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;	GSI	GSI
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GS8552-SR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOIC-8	Gainsil(聚洵) 上传：深圳市信科顺电子有限公司	Gainsil(聚洵)

技术参数

Density：
144Mb
Configuration：
x18
Cycle Time (MHz)：
167
Access Time (ns)：
8
Voltage (V)：
2.5
Package：
119 BGA
6/6 RoHS：
yes
Temp：
Comm
Special Features：
JTAG
Status：
Production
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

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