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GS8128236GD-200IV	文件：455.21 Kbytes Page：35 Pages	8M x 18, 4M x 36 144Mb S/DCD Sync Burst SRAMs 文件：455.21 Kbytes 页数：35 Pages	GSI	GSI
GS8128236GD-200IV	文件：455.21 Kbytes Page：35 Pages	8M x 18, 4M x 36 144Mb S/DCD Sync Burst SRAMs 文件：455.21 Kbytes 页数：35 Pages	GSI	GSI
GS8128236GD-200IVV	文件：455.21 Kbytes Page：35 Pages	8M x 18, 4M x 36 144Mb S/DCD Sync Burst SRAMs 文件：455.21 Kbytes 页数：35 Pages	GSI	GSI
GS8128236GD-200IV	文件：300 bytes Page：1 Pages	SYNCBURST SRAMs • Industry-standard Synchronous Burst Interface\n• ZQ mode pin for user-selectable high/low output drive\n• LBO pin for Linear or Interleaved Burst mode\n• Byte Write (BW) and/or Global Write (GW) operation\n• Internal self-timed write cycle\n• Automatic power-down for portable applications\n• JEDEC;	GSI	GSI

技术参数

Density：
144Mb
Configuration：
x36
Cycle Time (MHz)：
200
Access Time (ns)：
6.5
Voltage (V)：
1.8
Package：
165 BGA
6/6 RoHS：
yes
Temp：
Ind
Special Features：
JTAG
Status：
Production
MSL：
3
ECCN：
3A991
ECCN Suball：
B2B
HTS Code：
8542.32.00.40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多GS8128236GD-200IV供应商更新时间2026-10-11 15:00:00

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