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GS66508T中文资料650V增强型氮化镓晶体管数据手册GaN Systems规格书

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厂商型号

GS66508T

功能描述

650V增强型氮化镓晶体管

制造商

GaN Systems

数据手册

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更新时间

2025-10-2 17:00:00

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GS66508T规格书详情

描述 Description

GS66508T是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508T是一款顶部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

特性 Features

• 超低品质因数(FOM)岛技术®晶片
• 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
• 非常高的开关频率(> 100 MHz)
• 反向电流能力
• 小尺寸7.0 x 4.5 mm2占板面积
• 符合RoHS 6标准

应用 Application

• 高效率的功率转换
• AC-DC转换器
• ZVS移相全桥
• 同步降压或升压
• 工业电机驱动器
• 太阳能和风力发电
• D类音频放大器
• 车载电池充电器
• 牵引驱动器

技术参数

  • 制造商编号

    :GS66508T

  • 生产厂家

    :GaN Systems

  • IDS

    :30 A

  • RDS(on)

    :50 mΩ

  • QG

    :5.8 nC

  • 尺寸(MM)

    :7.0 x 4.5 x 0.54

  • 散热

    :顶部

  • MR数量

    :250

  • TR数量

    :3000

  • MR尺寸

    :16 mm x 7″

  • TR尺寸

    :16 mm x 13″

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