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GS61008P数据手册GaN Systems中文资料规格书

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厂商型号

GS61008P

功能描述

100V增强型氮化镓晶体管

制造商

GaN Systems GaN Systems

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:36:00

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GS61008P规格书详情

描述 Description

GS61008P是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许高电流,高电压击穿和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS61008P是一款底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

特性 Features

• 超低品质因数岛技术®晶片
• 低电感GaNPX®封装
• 简单的门极驱动要求(0 V至6 V)
• 瞬态容错门极驱动(-20 V / + 10 V)
• 非常高的开关频率(> 100 MHz)
• 快速和可控的下降和上升时间
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 小尺寸7.6 x 4.6mm2占板面积
• 源极检测(SS)焊盘用于优化门极驱动
• 符合RoHS 6标准

应用 Application

• 高效率的功率转换
• 高密度功率转换
• 储能系统
• AC-DC转换器(副边)
• ZVS移相全桥
• 半桥拓扑
• 同步降压或升压
• 不间断电源
• 工业电机驱动器
• 快速充电
• D类音频放大器
• 牵引驱动器

技术参数

  • 制造商编号

    :GS61008P

  • 生产厂家

    :GaN Systems

  • IDS

    :90 A

  • RDS(on)

    :7 mΩ

  • QG

    :12 nC

  • 尺寸(MM)

    :7.5 x 4.6 x 0.51

  • 冷却

    :底部

  • MR数量

    :250

  • TR数量

    :16 mm x 7″

  • TR尺寸

    :16 mm x 13″

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