GS66508P数据手册GaN Systems中文资料规格书
GS66508P规格书详情
描述 Description
GS66508P是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66508P是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。
特性 Features
• 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
• 低电感GaNPX®封装
• 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
• 瞬态容错门极驱动（-20 V / + 10 V）
• 非常高的开关频率（> 100 MHz）
• 快速和可控的下降和上升时间
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 小尺寸10.0 x 8.7 mm2占板面积
• 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
• 符合RoHS 6标准
应用 Application
• 高效率的功率转换
• 高功率密度的功率转换
• AC-DC转换器
• 无桥图腾柱PFC
• ZVS移相全桥
• 半桥拓扑
• 同步降压或升压
• 不间断电源
• 工业电机驱动器
• 单相和3相逆变器桥臂
• 太阳能和风力发电
• 快速充电
• D类音频放大器
• 400 V输入DC-DC转换器
• 车载电池充电器
• 牵引驱动器
技术参数
- 制造商编号
：GS66508P
- 生产厂家
：GaN Systems
- VDS
：650 V E-HEMT
- IDS
：30 A
- RDS(on)
：50 mΩ
- QG
：5.8 nC
- 尺寸（MM）
：10.0 x 8.7 x 0.51
- 散热
：底部
- MR数量
：250
- TR数量
：2000
- MR尺寸
：24 mm x 7″
- TR尺寸
：24 mm x 13″
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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