Top-side cooled 100 V E-mode GaN transistor

Features • 100 V enhancement mode power transistor • Top-side cooled configuration • RDS(on) = 7 mΩ • IDS(max) = 90 A • Ultra-low FOM die • Low inductance GaNPX® package • Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) • Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) • Very high switching fre

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GAN

GaN Systems

100 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管的迷你卷轴选项，可实现极致效率和可靠性

GS61008T-MR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、低损耗和高开关频率。GS61008T-MR 是采用 GaNPX ®封装的顶部冷却晶体管，具有非常低的结到外壳热阻，适用于 DCDC 转换器、电机驱动器、可再生能源系统和 D 类音频放大器等高功率应用。 • E 模式 HEMT – 常关\n• 无反向恢复电荷\n• 低栅极电荷、低输出电荷\n• 符合 JEDEC 标准（JESD47、JESD22）\n• 零反向恢复损耗\n• 符合 RoHS 3(6+4) 要求;

Infineon

英飞凌

GaAs PIN DIODES

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Microsemi

美高森美

2Watt Pulse, Electrostatically Shielded

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pulse

GENERAL PURPOSE TRANSFORMERS 2 Watt Pulse, Electrostatically Shielded, 500 mW Pulse, RF Pulse, and Control Transformers

文件：293.4 Kbytes 页数：8 Pages

pulse