首页 >GS2N7002>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

S2N7002KW

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

S2N7002KW

N-ChannelEnhancementMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S2N7002SW

0.38A,60V,RDS(O)2.8ohmN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

S2N7002W

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

S2N7002W

N-ChSmallSignalMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SPN2N7002K

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SW2N7002

N-channelEnhancedmodeSOT-23MOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

T2N7002AK

HighSpeedSwitchingApplications

○HighSpeedSwitchingApplications •ESDprotectedgate •LowON-resistanceRDS(on)=2.8Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(on)=3.1Ω(typ.)(@VGS=5V) RDS(on)=3.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

T2N7002BK

High-SpeedSwitching

Features (1)ESD(HBM)level2kV (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V) Applications •High-SpeedSwitching

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TQM2N7002KCU

SmallSignalN-ChannelMOSFET

FEATURES AEC-Q101Qualified Advancedtrenchcelldesign ESDprotectedG-S2kV(HBM) RoHSCompliant Halogen-free APPLICATIONS Switchingcircuits High-speedlinedriver Low-sideloadswitch Relaydriver

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    GS2N7002

  • 制造商:

    GTM

  • 制造商全称:

    GTM

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GTM
23+
NA
39960
只做进口原装,终端工厂免费送样
询价
GTM
23+
SOT-323
63000
原装正品现货
询价
GTM
24+
SOT-323
5000
只做原装公司现货
询价
Square D
2022+
2
全新原装 货期两周
询价
24+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
STM
24+
原厂封装
3308
原装现货
询价
ST/意法
23+
DIP
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
ST
22+
DIP
66900
原厂原装现货
询价
ST
24+
DIP
200000
原装进口正口,支持样品
询价
ST
24+
DIP
200000
原装进口正口,支持样品
询价
更多GS2N7002供应商 更新时间2025-5-29 16:53:00